ASML High-NA EUV가 차세대 AI 반도체와 메모리 미세공정 경쟁의 핵심 기술로 떠오르고 있습니다. Reuters는 2026년 9월 8일 ASML이 엔비디아와 구글 같은 기업이 설계하는 대형 데이터센터 칩까지 차세대 High-NA EUV로 생산할 수 있도록 더 큰 포토마스크 플랫폼을 추진한다고 보도했습니다. 같은 날 삼성전자는 ASML이 주도하는 12인치 포토마스크 이니셔티브 참여를 공식 발표했고, 2028년까지 첨단 DRAM 양산에 High-NA EUV를 업계 최초로 도입하겠다는 계획도 밝혔습니다. SK하이닉스 역시 Reuters에 2028년 DRAM 양산 적용을 목표로 한다고 확인했습니다.
3줄 요약
- ASML은 High-NA EUV의 대형칩 노광 한계를 줄이기 위해 12인치 포토마스크 전환을 추진하고 있습니다.
- 삼성전자는 2028년 첨단 DRAM 양산에 High-NA EUV를 업계 최초로 적용하겠다는 계획을 공식화했고, SK하이닉스도 같은 시점을 목표로 하고 있습니다.
- 다만 12인치 대형 마스크 기반 대형칩 생산 기술은 파일럿이 2031년, 양산 준비는 2033년 목표여서 엔비디아·구글 대형칩이 당장 High-NA EUV로 생산된다는 뜻은 아닙니다.
이번 뉴스의 핵심은 High-NA EUV가 더 미세한 회로를 그리는 기술을 넘어, 대형 AI 칩과 차세대 DRAM 생산성까지 좌우하는 플랫폼 경쟁으로 확장되고 있다는 점입니다.
ASML High-NA EUV는 기존 EUV와 무엇이 다른가?
High-NA EUV는 기존 EUV보다 개구수인 NA를 높여 더 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있는 차세대 노광 기술입니다. 기존 EUV 장비의 NA는 0.33 수준이고 High-NA EUV는 0.55 수준으로 올라갑니다. 개구수가 높아지면 같은 파장의 빛을 사용하더라도 더 작은 선폭을 구현할 수 있어 차세대 DRAM과 첨단 로직 공정에서 멀티 패터닝 부담을 줄일 수 있습니다.
반도체 미세화가 진행될수록 한 번의 노광으로 회로를 그리기 어려워지고 여러 번 나눠 패턴을 형성하는 공정이 늘어납니다. 이 과정은 공정 수와 비용을 늘리고 수율 관리도 어렵게 만듭니다. High-NA EUV는 더 미세한 패턴을 한 번에 구현할 수 있어 공정을 줄이고 정확도를 높이는 것이 가장 큰 장점입니다.
그런데 왜 대형 데이터센터 칩에서는 문제가 생겼나?
Reuters에 따르면 현재 ASML의 기존 EUV 장비는 약 800제곱밀리미터 규모의 대형 칩까지 처리할 수 있습니다. 엔비디아와 구글이 설계하는 데이터센터용 AI 칩은 면적이 크기 때문에 기존 EUV의 넓은 노광 영역을 활용할 수 있습니다. 문제는 High-NA EUV가 더 높은 해상도를 얻는 대신 한 번에 노광할 수 있는 영역이 더 작아진다는 점입니다.
이 때문에 대형 칩을 High-NA EUV로 생산하려면 칩을 여러 구역으로 나눠 노광한 뒤 이어 붙이는 방식이 필요할 수 있습니다. 이를 스티칭이라고 부릅니다. 스티칭은 공정 복잡도와 오차 가능성을 높이고 생산성에도 부담이 될 수 있습니다. ASML이 12인치 포토마스크 전환을 추진하는 이유가 바로 이 제약을 줄이기 위해서입니다.
12인치 포토마스크가 왜 중요한가?
반도체 업계는 오랫동안 6인치 포토마스크를 표준으로 사용해왔습니다. 포토마스크는 웨이퍼 위에 회로를 새길 때 사용하는 정밀한 원판 설계도와 같은 역할을 합니다. 삼성전자와 ASML은 12인치 포토마스크를 사용하면 더 넓은 영역을 한 번에 노광할 수 있어 High-NA EUV의 스티칭 제약을 줄이고 팹 생산성을 높일 수 있다고 설명했습니다.
삼성전자는 9월 8일 ASML이 주도하는 대형 마스크 컨소시엄에 참여해 12인치 포토마스크 공동 연구와 표준 개발에 나선다고 공식 발표했습니다. 메모리와 파운드리 사업을 모두 운영하는 삼성전자는 EUV 양산 경험을 바탕으로 차세대 마스크 전환 과정에서 핵심 역할을 맡을 수 있다는 입장입니다.
| 구분 | 현재 EUV | High-NA EUV 방향 |
|---|---|---|
| 개구수 | 약 0.33 | 약 0.55 |
| 주요 장점 | 첨단 양산에 널리 사용 | 더 미세한 패턴, 공정 단순화 가능 |
| 대형칩 과제 | 상대적으로 넓은 노광 영역 | 노광 영역 축소로 스티칭 부담 |
| 해결 방향 | 6인치 포토마스크 중심 | 12인치 포토마스크 전환 추진 |
| 한국 연결 | 삼성전자·SK하이닉스 EUV 양산 | 2028년 DRAM 양산 적용 목표 |
엔비디아와 구글 대형칩도 High-NA EUV로 찍게 되나?
장기적으로는 그 방향을 목표로 하고 있지만 현재 당장 가능하다는 의미는 아닙니다. Reuters는 ASML이 주요 칩 제조사와 협력해 현재 대형 데이터센터 칩과 비슷한 크기의 칩도 High-NA EUV로 생산할 수 있도록 기술을 개발하고 있다고 전했습니다. 그러나 12인치 마스크 기반 파일럿 라인은 2031년, 첨단 노드 양산을 위한 전체 노광 시스템 준비는 2033년이 목표입니다.
따라서 엔비디아나 구글의 차세대 대형 AI 칩이 곧바로 High-NA EUV에서 생산될 것이라고 해석하면 지나칩니다. 이번 발표의 의미는 현재의 기술적 한계를 해결하기 위한 산업 표준과 장비 생태계를 미리 만들기 시작했다는 데 있습니다. 실제 대형 로직 칩 양산 적용은 2030년대 초반이 더 중요한 시점이 될 가능성이 큽니다.
삼성전자는 왜 2028년 DRAM 양산을 먼저 노리나?
삼성전자는 2028년까지 첨단 DRAM 제조에 High-NA EUV를 도입해 업계 최초의 양산 적용을 추진하겠다고 밝혔습니다. 메모리는 로직 칩보다 다이 면적이 상대적으로 작기 때문에 High-NA EUV의 좁은 노광 영역 문제가 대형 AI 칩보다 덜할 수 있습니다. 이 때문에 DRAM이 High-NA EUV의 초기 대량생산 적용처가 될 가능성이 높습니다.
삼성전자는 이미 과거 DRAM 양산에 EUV를 업계 최초로 도입한 경험이 있습니다. 차세대 DRAM에서는 셀 크기가 더 작아지고 회로 정밀도가 높아질수록 기존 EUV만으로 공정 복잡도를 낮추기 어려워질 수 있습니다. High-NA EUV를 먼저 안정적으로 적용하면 공정 수 절감과 수율 개선, 원가 경쟁력 확보에서 우위를 만들 수 있습니다.
SK하이닉스도 2028년을 목표로 하는 이유는?
Reuters는 SK하이닉스도 2028년 DRAM 양산에 High-NA EUV를 적용하는 것을 목표로 하고 있다고 전했습니다. SK하이닉스는 이미 EUV를 1a DRAM부터 적용한 경험이 있고, HBM과 첨단 DRAM 경쟁이 심화될수록 미세공정 기술의 중요성이 더 커지고 있습니다.
HBM 경쟁에서는 적층 기술과 패키징이 중요하지만, HBM에 들어가는 기본 DRAM 다이의 성능과 전력효율도 핵심입니다. High-NA EUV가 DRAM 셀 미세화와 공정 단순화에 기여하면 동일한 웨이퍼에서 더 많은 다이를 생산하거나 전력효율을 개선하는 데 도움이 될 수 있습니다. 따라서 High-NA EUV는 단순 장비 교체가 아니라 HBM 경쟁력의 기반이 되는 DRAM 공정기술과 직접 연결됩니다.
삼성전자와 SK하이닉스의 2028년 High-NA EUV 경쟁은 결국 차세대 DRAM과 HBM 원가, 수율, 전력효율 경쟁으로 이어질 가능성이 큽니다.
High-NA EUV가 HBM 경쟁에도 영향을 줄까?
직접적인 HBM 적층 공정 자체를 High-NA EUV가 해결하는 것은 아닙니다. HBM은 DRAM 다이를 여러 층으로 쌓고 TSV와 본딩, 열관리 기술을 결합하는 복합 제품입니다. 하지만 HBM에 사용되는 DRAM 다이의 미세화가 진전되면 용량과 전력효율, 웨이퍼 생산성이 개선될 가능성이 있습니다.
AI 가속기 한 개에 들어가는 HBM 용량이 계속 증가하는 상황에서 메모리 제조사는 더 많은 고성능 다이를 안정적으로 생산해야 합니다. 이 때문에 차세대 DRAM 미세공정은 HBM 공급능력과 원가 경쟁력에 직접 영향을 줄 수 있습니다. High-NA EUV 도입 시점과 초기 수율이 중요한 이유입니다.
ASML에는 어떤 의미인가?
ASML 입장에서는 High-NA EUV가 차세대 성장동력입니다. 기존 EUV는 이미 첨단 로직과 메모리 생산의 핵심 장비로 자리잡았고, ASML은 사실상 이 시장을 독점하고 있습니다. High-NA EUV가 DRAM과 대형 로직 칩까지 넓게 적용되면 장비 수요뿐 아니라 마스크, 계측, 검사, 소재 등 주변 생태계의 투자도 확대될 수 있습니다.
Reuters는 ASML이 대형 마스크 기술을 통해 High-NA 시스템 생산성을 약 40% 높일 수 있을 것으로 기대한다고 전했습니다. 다만 실제 효과는 장비 가동률, 마스크 수율, 고객사의 공정 설계와 양산 안정성에 따라 달라질 수 있습니다. 기술 개발 목표와 실제 양산 수익성은 구분해서 봐야 합니다.
한국 반도체 공급망에는 어떤 기회가 생길까?
High-NA EUV 도입은 ASML 장비 한 대의 문제가 아닙니다. 포토마스크, 펠리클, 감광재, 검사장비, 계측장비, 초정밀 부품 등 여러 공급망이 함께 바뀌어야 합니다. 특히 12인치 포토마스크로 전환하려면 기존 6인치 마스크 중심의 제조와 검사 생태계를 다시 설계해야 할 수 있습니다.
한국 기업 입장에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 초기 High-NA EUV 양산을 추진할수록 국내 소재와 장비 기업이 새로운 공정 요구에 대응할 기회가 생길 수 있습니다. 다만 어떤 기업이 실제 공급사로 선정될지는 별도 계약과 인증이 필요하기 때문에 특정 종목의 직접 수혜를 지금 단계에서 확정적으로 말하기는 어렵습니다.
투자자가 확인해야 할 5가지
- 2028년 실제 DRAM 양산 적용: 삼성전자와 SK하이닉스가 계획한 일정대로 High-NA EUV를 양산에 투입하는지 확인해야 합니다.
- 초기 수율과 공정 절감 효과: 장비 도입보다 실제 수율과 원가 개선이 더 중요합니다.
- 12인치 포토마스크 표준화: 파일럿과 표준 개발이 예정대로 진행되는지 봐야 합니다.
- 대형 AI 칩 적용 시점: 2031년 파일럿과 2033년 양산 준비 목표가 지연되지 않는지가 중요합니다.
- 국내 공급망 참여: 마스크, 소재, 검사, 계측 분야에서 실제 수주와 인증이 나오는지 확인해야 합니다.
핵심 질문 1. 엔비디아 대형칩이 당장 High-NA EUV로 생산되나?
답변: 아닙니다. ASML은 대형칩까지 High-NA EUV로 생산할 수 있도록 기술을 개발 중이지만 12인치 포토마스크 파일럿은 2031년, 양산 시스템 준비는 2033년이 목표입니다. 현재는 기술 개발과 표준화 단계로 보는 것이 정확합니다.
핵심 질문 2. 삼성전자와 SK하이닉스는 왜 2028년이 더 빠른가?
답변: DRAM 다이는 대형 AI 로직 칩보다 면적이 작아 High-NA EUV의 좁은 노광 영역 제약이 상대적으로 덜할 수 있습니다. 그래서 메모리가 대형 데이터센터 칩보다 먼저 High-NA EUV 양산 적용처가 될 가능성이 있습니다.
핵심 질문 3. 한국에 가장 중요한 포인트는 무엇인가?
답변: 삼성전자와 SK하이닉스가 High-NA EUV를 얼마나 빠르게 안정적인 수율로 양산에 적용하느냐입니다. 성공할 경우 차세대 DRAM과 HBM의 원가, 생산성, 전력효율 경쟁에서 중요한 우위를 확보할 수 있습니다.
High-NA EUV 경쟁은 장비보다 양산 안정성이 더 중요하다
High-NA EUV는 기술적으로 더 미세한 회로를 구현할 수 있다는 장점이 있지만, 실제 경쟁력은 장비 도입 시점보다 양산 수율과 공정 안정성에서 결정될 가능성이 큽니다.
삼성전자와 SK하이닉스가 2028년 적용 목표를 세웠더라도 초기 수율이 낮거나 공정비용이 높으면 기대한 원가 절감 효과가 제한될 수 있습니다. 결국 투자자가 확인해야 할 것은 High-NA EUV 장비 도입 발표 자체가 아니라 실제 DRAM 생산성, 수율 개선, 공정 단계 축소가 숫자로 확인되는지 여부입니다.
결론: ASML High-NA EUV의 진짜 의미는?
ASML High-NA EUV는 단순히 더 미세한 선폭을 구현하는 차세대 장비가 아닙니다. 삼성전자와 SK하이닉스에는 차세대 DRAM과 HBM 경쟁력을 결정할 수 있는 핵심 공정 기술이고, 엔비디아와 구글 같은 대형 데이터센터 칩 설계사에는 장기적으로 더 큰 칩을 더 미세한 공정으로 생산할 수 있는 기반 기술이 될 수 있습니다.
다만 시점을 구분해야 합니다. 한국 메모리 업계의 High-NA EUV 적용 목표는 2028년이지만, 12인치 마스크를 이용한 대형 로직 칩 생산은 2031년 파일럿과 2033년 양산 준비가 목표입니다. 따라서 오늘 뉴스는 엔비디아 대형칩 양산이 바로 시작된다는 의미보다 향후 5년 이상 이어질 차세대 노광 생태계 경쟁의 출발점으로 보는 것이 적절합니다.
한국 반도체 산업의 핵심 관전 포인트는 2028년 삼성전자와 SK하이닉스가 High-NA EUV를 얼마나 빠르게 양산 수율과 원가 경쟁력으로 연결하느냐입니다.
한 줄 인사이트: High-NA EUV 경쟁은 장비 도입 경쟁이 아니라 차세대 DRAM과 HBM, 대형 AI 칩의 생산성과 원가 구조를 누가 먼저 바꾸느냐의 경쟁입니다.
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※ 본 글은 2026년 9월 8일 Reuters 보도, 삼성전자 공식 뉴스룸 발표, ASML과 TSMC의 12인치 포토마스크 이니셔티브 자료를 교차 검토해 작성했습니다. 삼성전자의 2028년 High-NA EUV DRAM 양산 계획은 공식 발표이며, SK하이닉스의 2028년 목표는 Reuters 보도에 근거합니다. 대형 AI 칩용 12인치 마스크 기술은 현재 개발 단계이며 파일럿은 2031년, 양산 준비는 2033년 목표입니다.
참고자료 및 출처
- Reuters, ASML to work with major chipmakers to use latest tools for larger chips, 2026-09-08
- Samsung Semiconductor Global Newsroom, Samsung Electronics and ASML Expand Strategic Collaboration, 2026-09-08
- Samsung Newsroom Korea, 삼성전자 ASML과 차세대 반도체 제조 협력 확대, 2026-09-08
- ASML and TSMC, 12-inch photomask initiative, 2026-09-08